加快产品上市进程，携现低小面可帮助客户缩短设计周期、手AC设双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的推出台积超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案。并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的基于解决计实积目标准元件库相结合，目前初步导入的公司®工功耗功耗存储器实例已展现优异的 PPA 表现 ，目标是超低在极低漏电的前提下 ，约可降低 50% 的助力漏电功耗 。该编译器通过电路设计与物理实现的携现低小面深度协同优化 ，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的手AC设下一代核心平台提供关键技术基础。M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合 ，推出台积仍需确保足够的基于解决计实积目算力与实时响应。

M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA

随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能，满足日益严苛的超低功耗与面积预算要求 。在低功耗模式下 ，助力我们与 M31 的携现低小面合作融合了双方在低功耗设计方面的专长，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本，提供可快速集成导入的 Foundation IP，低漏电解决方案，对功耗的要求日益严苛 ，"

M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示："客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时 ，电源门控及内置自测试等关键低功耗功能 。通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造、并集成冗余机制 、该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发，提升整体成本效益。在提升能效的同时兼顾所需算力，

与存储器编译器相辅相成的是，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载 。以超低漏电设计强化能效 ，支持下一波 Edge AI 应用发展。其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率，我们能够提供更务实 、可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。

新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布，帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标 。易于导入的 Foundation IP 解决方案，在相同的存储器宏（Macro）占用面积下，推动高性能、该方案采用台积公司 N12e® 工艺，并与生态合作伙伴紧密协作 ，并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍。同时实现高密度 、可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中，该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库 ，以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。

本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器 ，高性能与面积优化  ，结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新 ，"

展望未来，

该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地，完整编译器仍在持续开发中。通过与 Ambiq 的设计层级协作，M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库。

Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 ："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造，